IXTR200N10P - IXYS

Numéro d'article	IXTR200N10P
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	235nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7600pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 60A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	ISOPLUS247™
Paquet / cas	ISOPLUS247™
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXTR102N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247	Détails
IXTR120P20T	IXYS	MOSFET P-CH 200V 90A ISOPLUS247	Détails
IXTR140P10T	IXYS	MOSFET P-CH 100V 90A ISOPLUS247	Détails
IXTR16P60P	IXYS	MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247	Détails
IXTR170P10P	IXYS	MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247	Détails
IXTR200N10P	IXYS	MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247	Détails
IXTR20P50P	IXYS	MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247	Détails
IXTR210P10T	IXYS	MOSFET P-CH 100V 158A ISOPLUS247	Détails
IXTR30N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 25A ISOPLUS247	Détails
IXTR32P60P	IXYS	MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247	Détails