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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › IXTR102N65X2
IXTR102N65X2

IXTR102N65X2 - IXYS

Numero di parte
IXTR102N65X2
fabbricante
IXYS
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IXTR102N65X2 Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
290 pcs
Prezzo di riferimento
USD 16.46/pcs
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IXTR102N65X2 Descrizione dettagliata

Numero di parte IXTR102N65X2
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 54A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 152nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10900pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 51A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore ISOPLUS247™
Pacchetto / caso ISOPLUS247™
Peso -
Paese d'origine -

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