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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXTR102N65X2
IXTR102N65X2

IXTR102N65X2 - IXYS

品番
IXTR102N65X2
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXTR102N65X2 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
290 pcs
参考価格
USD 16.46/pcs
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IXTR102N65X2 詳細な説明

品番 IXTR102N65X2
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 54A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 152nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 10900pF @ 25V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 330W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 33 mOhm @ 51A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ ISOPLUS247™
パッケージ/ケース ISOPLUS247™
重量 -
原産国 -

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画像 品番 メーカー 説明 見る
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