IXKN75N60C - IXYS

Numero di parte	IXKN75N60C
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	75A
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	500nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	Super Junction
Dissipazione di potenza (max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-227B
Pacchetto / caso	SOT-227-4, miniBLOC
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IXKN40N60C	IXYS	MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B	Dettagli
IXKN45N80C	IXYS	MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B	Dettagli
IXKN75N60C	IXYS	MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B	Dettagli