IXKN75N60C - IXYS

Numéro d'article	IXKN75N60C
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	75A
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	500nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	Super Junction
Dissipation de puissance (Max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 50A, 10V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-227B
Paquet / cas	SOT-227-4, miniBLOC
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXKN40N60C	IXYS	MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B	Détails
IXKN45N80C	IXYS	MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B	Détails
IXKN75N60C	IXYS	MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B	Détails