IXKN75N60C - IXYS

Número de pieza	IXKN75N60C
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	75A
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	500nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	Super Junction
Disipación de potencia (Máx)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 50A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-227B
Paquete / caja	SOT-227-4, miniBLOC
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
IXKN40N60C	IXYS	MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B	Detalles
IXKN45N80C	IXYS	MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B	Detalles
IXKN75N60C	IXYS	MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B	Detalles