IXFN66N85X - IXYS

Numero di parte	IXFN66N85X
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	850V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	65A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	230nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	8900pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 33A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-227
Pacchetto / caso	SOT-227-4, miniBLOC
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IXFN100N10S1	IXYS	MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B	Dettagli
IXFN100N10S2	IXYS	MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B	Dettagli
IXFN100N10S3	IXYS	MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B	Dettagli
IXFN100N20	IXYS	MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B	Dettagli
IXFN100N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B	Dettagli
IXFN100N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B	Dettagli
IXFN100N50Q3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227	Dettagli
IXFN100N65X2	IXYS	MOSFET N-CH	Dettagli
IXFN102N30P	IXYS	MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B	Dettagli
IXFN106N20	IXYS	MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B	Dettagli