IXFN38N100P

IXFN38N100P - IXYS

Numero di parte
IXFN38N100P
fabbricante
IXYS
Breve descrizione
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IXFN38N100P Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
42 pcs
Prezzo di riferimento
USD 39.27/pcs
Il nostro prezzo
Invia per e-mail: [email protected]

Si prega di compilare il modulo sottostante per richiedere un preventivo per IXFN38N100P

IXFN38N100P Descrizione dettagliata

Numero di parte IXFN38N100P
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 38A
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 350nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 24000pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1000W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210 mOhm @ 19A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-227B
Pacchetto / caso SOT-227-4, miniBLOC
Peso -
Paese d'origine -

PRODOTTI CORRELATI PER IXFN38N100P