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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › IXFN32N100Q3
IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3 - IXYS

Numero di parte
IXFN32N100Q3
fabbricante
IXYS
Breve descrizione
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IXFN32N100Q3 Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
25 pcs
Prezzo di riferimento
USD 50.06/pcs
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IXFN32N100Q3 Descrizione dettagliata

Numero di parte IXFN32N100Q3
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 28A
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9940pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 780W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320 mOhm @ 16A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-227B
Pacchetto / caso SOT-227-4, miniBLOC
Peso -
Paese d'origine -

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