IXFN180N10

IXFN180N10 - IXYS

Numero di parte
IXFN180N10
fabbricante
IXYS
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
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IXFN180N10 Descrizione dettagliata

Numero di parte IXFN180N10
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 180A
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 360nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9100pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-227B
Pacchetto / caso SOT-227-4, miniBLOC
Peso -
Paese d'origine -

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