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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › IXFN170N65X2
IXFN170N65X2

IXFN170N65X2 - IXYS

Numero di parte
IXFN170N65X2
fabbricante
IXYS
Breve descrizione
MOSFET N-CH
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IXFN170N65X2 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
4692 pcs
Prezzo di riferimento
USD 35.076/pcs
Il nostro prezzo
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IXFN170N65X2 Descrizione dettagliata

Numero di parte IXFN170N65X2
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 170A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 85A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 434nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 27000pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1170W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-227B
Pacchetto / caso SOT-227-4, miniBLOC
Peso -
Paese d'origine -

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