IXFN150N65X2

IXFN150N65X2 - IXYS

Numero di parte
IXFN150N65X2
fabbricante
IXYS
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 145A SOT-227
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
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IXFN150N65X2 Descrizione dettagliata

Numero di parte IXFN150N65X2
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 145A
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 355nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 21000pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1040W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 75A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-227
Pacchetto / caso SOT-227-4, miniBLOC
Peso -
Paese d'origine -

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