| Numero di parte | IXFL55N50 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 55A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS264™ |
| Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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IXF1002EC | LEVELONE | IXF1002EC LEVELONE BGA New Original Stocks | Dettagli |
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IXF611P1 | IXYS | IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8DIP | Dettagli |
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IXF611S1 | IXYS | IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC | Dettagli |
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IXF611S1T/R | IXYS | IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC | Dettagli |
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IXFA102N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK | Dettagli |
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IXFA10N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK | Dettagli |
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IXFA10N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 10A TO-263 | Dettagli |
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IXFA110N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK | Dettagli |
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IXFA12N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK | Dettagli |
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IXFA12N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH | Dettagli |
