IXFA22N65X2

IXFA22N65X2 - IXYS

Numero di parte
IXFA22N65X2
fabbricante
IXYS
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 22A TO-263
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
USD 4.37/pcs
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IXFA22N65X2 Descrizione dettagliata

Numero di parte IXFA22N65X2
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2310pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 11A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-263
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso -
Paese d'origine -

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