SPP03N60S5HKSA1 - Infineon Technologies

Numero di parte	SPP03N60S5HKSA1
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 135µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	420pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 2A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO220-3-1
Pacchetto / caso	TO-220-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SPP03N60C3	INF	SPP03N60C3 INF TO-220 New Original Stocks	Dettagli
SPP03N60C3HKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220AB	Dettagli
SPP03N60C3XKSA1	Infineon Technologies	LOW POWER_LEGACY	Dettagli
SPP03N60S5HKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220AB	Dettagli
SPP03N60S5XKSA1	Infineon Technologies	LOW POWER_LEGACY	Dettagli