SPP03N60S5HKSA1

SPP03N60S5HKSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
SPP03N60S5HKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3797 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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SPP03N60S5HKSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SPP03N60S5HKSA1
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 135µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 38W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 2A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-3-1
Paket / Fall TO-220-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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