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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › SPB100N03S2-03
SPB100N03S2-03

SPB100N03S2-03 - Infineon Technologies

Numero di parte
SPB100N03S2-03
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
SPB100N03S2-03 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
SPB100N03S2-03.pdf
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
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SPB100N03S2-03 Descrizione dettagliata

Numero di parte SPB100N03S2-03
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7020pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 mOhm @ 80A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO263-3-2
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso -
Paese d'origine -

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