SPB100N03S2-03 - Infineon Technologies

Número de pieza: SPB100N03S2-03
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	SPB100N03S2-03
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	100A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	150nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7020pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 mOhm @ 80A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO263-3-2
Paquete / caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
SPB10045E3	Microsemi Corporation	DIODE MODULE 45V 100A SOT227	Detalles
SPB100N03S2-03	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK	Detalles
SPB100N03S2-03 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK	Detalles
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