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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Simples › SPB100N03S2-03
SPB100N03S2-03

SPB100N03S2-03 - Infineon Technologies

Numéro d'article
SPB100N03S2-03
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
SPB100N03S2-03 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
SPB100N03S2-03.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4209 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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SPB100N03S2-03 Description détaillée

Numéro d'article SPB100N03S2-03
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7020pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 mOhm @ 80A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-TO263-3-2
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids -
Pays d'origine -

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