| Numero di parte | IRL530NPBF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 9A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IRL510 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | Dettagli |
 |
IRL510A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220 | Dettagli |
 |
IRL510L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262 | Dettagli |
|
IRL510PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | Dettagli |
 |
IRL510S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Dettagli |
|
IRL510SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Dettagli |
|
IRL510STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Dettagli |
|
IRL510STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Dettagli |
|
IRL510STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Dettagli |
|
IRL520 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB | Dettagli |
