| Numero di parte | IRL510SPBF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.6A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.7W (Ta), 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 3.4A, 5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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IRL510 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | Dettagli |
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IRL510A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220 | Dettagli |
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IRL510L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262 | Dettagli |
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IRL510PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | Dettagli |
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IRL510S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Dettagli |
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IRL510SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Dettagli |
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IRL510STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Dettagli |
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IRL510STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Dettagli |
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IRL510STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Dettagli |
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IRL520 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB | Dettagli |
