| Artikelnummer | IRL530NPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 79W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 9A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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IRL510 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | Einzelheiten |
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IRL510A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220 | Einzelheiten |
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IRL510L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262 | Einzelheiten |
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IRL510PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | Einzelheiten |
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IRL510S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Einzelheiten |
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IRL510SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Einzelheiten |
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IRL510STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Einzelheiten |
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IRL510STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Einzelheiten |
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IRL510STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Einzelheiten |
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IRL520 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB | Einzelheiten |
