IPD90N04S3H4ATMA1

IPD90N04S3H4ATMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
IPD90N04S3H4ATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
USD 0.7628/pcs
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IPD90N04S3H4ATMA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte IPD90N04S3H4ATMA1
Stato parte Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 90A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 65µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3900pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3 mOhm @ 90A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO252-3
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso -
Paese d'origine -

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