| Numero di parte | IPD90N04S404ATMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 35.2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3440pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 90A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3-313 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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IPD90N03S4L-02 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | Dettagli |
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IPD90N03S4L02ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | Dettagli |
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IPD90N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | Dettagli |
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IPD90N04S304ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 | Dettagli |
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IPD90N04S3H4ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 | Dettagli |
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IPD90N04S402ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 | Dettagli |
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IPD90N04S403ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 | Dettagli |
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IPD90N04S404ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 | Dettagli |
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IPD90N04S405ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3-313 | Dettagli |
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IPD90N04S4L04ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 | Dettagli |
