| номер части | IPD90N04S3H4ATMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Not For New Designs |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 40V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 90A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 65µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 3900pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 115W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 4.3 mOhm @ 90A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3 |
| Упаковка / чехол | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
IPD90N03S4L-02 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | подробности |
|
IPD90N03S4L02ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | подробности |
|
IPD90N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | подробности |
|
IPD90N04S304ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 | подробности |
|
IPD90N04S3H4ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 | подробности |
 |
IPD90N04S402ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 | подробности |
|
IPD90N04S403ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 | подробности |
|
IPD90N04S404ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 | подробности |
|
IPD90N04S405ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3-313 | подробности |
|
IPD90N04S4L04ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 | подробности |
