| Numero di parte | IPC302N08N3X2SA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
|
IPC302N08N3X1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V BARE DIE | Dettagli |
|
IPC302N08N3X2SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V SAWN WAFER | Dettagli |
|
IPC302N10N3X1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V BARE DIE | Dettagli |
|
IPC302N12N3X1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V BARE DIE | Dettagli |
|
IPC302N15N3X1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V BARE DIE | Dettagli |
|
IPC302N15N3X7SA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | Dettagli |
|
IPC302N20N3X1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V BARE DIE | Dettagli |
|
IPC302N20NFDX1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V BARE DIE | Dettagli |
|
IPC302N25N3AX1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V BARE DIE | Dettagli |
|
IPC302N25N3X1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V BARE DIE | Dettagli |
