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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › IPC302N20NFDX1SA1
IPC302N20NFDX1SA1

IPC302N20NFDX1SA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
IPC302N20NFDX1SA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH 200V BARE DIE
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IPC302N20NFDX1SA1 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
IPC302N20NFDX1SA1.pdf
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
7241 pcs
Prezzo di riferimento
USD 3.5934/pcs
Il nostro prezzo
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IPC302N20NFDX1SA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte IPC302N20NFDX1SA1
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (massimo) -
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2A, 10V
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore Sawn on foil
Pacchetto / caso Die
Peso -
Paese d'origine -

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