| Número de pieza | IPC302N08N3X2SA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | - |
| Tecnología | - |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | - |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | - |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| Tipo de montaje | - |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Paquete / caja | - |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
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IPC302N08N3X1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V BARE DIE | Detalles |
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IPC302N08N3X2SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V SAWN WAFER | Detalles |
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IPC302N10N3X1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V BARE DIE | Detalles |
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IPC302N12N3X1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V BARE DIE | Detalles |
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IPC302N15N3X1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V BARE DIE | Detalles |
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IPC302N15N3X7SA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | Detalles |
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IPC302N20N3X1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V BARE DIE | Detalles |
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IPC302N20NFDX1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V BARE DIE | Detalles |
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IPC302N25N3AX1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V BARE DIE | Detalles |
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IPC302N25N3X1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V BARE DIE | Detalles |
