BSZ16DN25NS3GATMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte: BSZ16DN25NS3GATMA1
fabbricante: Infineon Technologies
Breve descrizione: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data: New
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Prezzo di riferimento: USD 0.80867/pcs
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Numero di parte	BSZ16DN25NS3GATMA1
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	165 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 32µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.4nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	920pF @ 100V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	62.5W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TSDSON-8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	BSZ16DN25NS3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON	Dettagli
	BSZ16DN25NS3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON	Dettagli