BSZ16DN25NS3GATMA1

BSZ16DN25NS3GATMA1 - Infineon Technologies

номер части
BSZ16DN25NS3GATMA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BSZ16DN25NS3GATMA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
203605 pcs
Справочная цена
USD 0.80867/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BSZ16DN25NS3GATMA1

BSZ16DN25NS3GATMA1 Подробное описание

номер части BSZ16DN25NS3GATMA1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 250V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 10.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 165 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 32µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11.4nC @ 10V
Vgs (Макс.) ±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 920pF @ 100V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 62.5W (Tc)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TSDSON-8
Упаковка / чехол 8-PowerTDFN
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BSZ16DN25NS3GATMA1