BSZ16DN25NS3 G - Infineon Technologies

Numero di parte	BSZ16DN25NS3 G
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10.9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 32µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	920pF @ 100V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	165 mOhm @ 5.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TSDSON-8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
BSZ160N10NS3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8	Dettagli
BSZ165N04NS G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8	Dettagli
BSZ165N04NSG	INFINEON	BSZ165N04NSG INFINEON QFN8 New Original Stocks	Dettagli
BSZ165N04NSGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8	Dettagli
BSZ16DN25NS3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON	Dettagli
BSZ16DN25NS3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON	Dettagli