BSC018NE2LSIATMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte	BSC018NE2LSIATMA1
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	29A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2500pF @ 12V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 69W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TDSON-8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
BSC018N04LSG	INFINION	BSC018N04LSG INFINION TDSON-.. New Original Stocks	Dettagli
BSC018N04LSGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8	Dettagli
BSC018NE2LSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8	Dettagli
BSC018NE2LSI	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8	Dettagli
BSC018NE2LSIATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8	Dettagli