| Numero di parte | BSC018NE2LSI |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 29A (Ta), 100A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 12V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 mOhm @ 30A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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BSC007N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH 40V | Dettagli |
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BSC009NE2LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8 | Dettagli |
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BSC009NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON | Dettagli |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 40A 8TDSON IND | Dettagli |
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BSC009NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8 | Dettagli |
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BSC010N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH 40V | Dettagli |
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BSC010N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 | Dettagli |
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BSC010N04LSCATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | Dettagli |
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BSC010N04LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON | Dettagli |
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BSC010N04LSTATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | Dettagli |
