BSC018NE2LSIATMA1 - Infineon Technologies

品番	BSC018NE2LSIATMA1
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	25V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	29A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	1.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	36nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	2500pF @ 12V
FET機能	-
消費電力（最大）	2.5W (Ta), 69W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TDSON-8
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
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