| Numero di parte | GP2M007A065HG |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1072pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 3.25A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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GP2M002A060CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK | Dettagli |
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GP2M002A060FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 2A TO220F | Dettagli |
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GP2M002A060HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 2A TO220 | Dettagli |
;;3.jpeg "GP2M002A060PG") |
GP2M002A060PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 2A | Dettagli |
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GP2M002A065CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK | Dettagli |
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GP2M002A065FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F | Dettagli |
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GP2M002A065HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220 | Dettagli |
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GP2M002A065PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK | Dettagli |
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GP2M004A060CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4A DPAK | Dettagli |
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GP2M004A060FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4A TO220F | Dettagli |
