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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › GP1M007A065CG
GP1M007A065CG

GP1M007A065CG - Global Power Technologies Group

Numero di parte
GP1M007A065CG
fabbricante
Global Power Technologies Group
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
GP1M007A065CG Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
GP1M007A065CG.pdf
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
3720 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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GP1M007A065CG Descrizione dettagliata

Numero di parte GP1M007A065CG
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1201pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 3.25A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D-Pak
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso -
Paese d'origine -

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