GP1M007A065CG - Global Power Technologies Group

Número de pieza: GP1M007A065CG
Fabricante: Global Power Technologies Group
Breve descripción: MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	GP1M007A065CG
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	6.5A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1201pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 3.25A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	D-Pak
Paquete / caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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