GC05MPS12-220 - GeneSiC Semiconductor

Numero di parte	GC05MPS12-220
Stato parte	Active
Tipo diodo	Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	1200V
Corrente - Rettificato medio (Io)	29A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.8V @ 5A
Velocità	No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr	4µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F	359pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220-2
Temperatura operativa - Giunzione	-55°C ~ 175°C
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	GC05MPS12-220	GeneSiC Semiconductor	SIC DIODE 1200V 5A TO-220-2	Dettagli
	GC05MPS12-252	GeneSiC Semiconductor	SIC DIODE 1200V 5A TO-252-2	Dettagli