GC05MPS12-220 - GeneSiC Semiconductor

Numéro d'article	GC05MPS12-220
État de la pièce	Active
Type de diode	Silicon Carbide Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	1200V
Courant - Rectifié moyen (Io)	29A (DC)
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.8V @ 5A
La vitesse	No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	4µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F	359pF @ 1V, 1MHz
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	TO-220-2
Package de périphérique fournisseur	TO-220-2
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 175°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	GC05MPS12-220	GeneSiC Semiconductor	SIC DIODE 1200V 5A TO-220-2	Détails
	GC05MPS12-252	GeneSiC Semiconductor	SIC DIODE 1200V 5A TO-252-2	Détails