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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Diodi - Raddrizzatori - Singoli › GC05MPS12-252
GC05MPS12-252

GC05MPS12-252 - GeneSiC Semiconductor

Numero di parte
GC05MPS12-252
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Breve descrizione
SIC DIODE 1200V 5A TO-252-2
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
GC05MPS12-252 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
47215 pcs
Prezzo di riferimento
USD 3.48718/pcs
Il nostro prezzo
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GC05MPS12-252 Descrizione dettagliata

Numero di parte GC05MPS12-252
Stato parte Active
Tipo diodo Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Corrente - Rettificato medio (Io) 27A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 5A
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 4µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F 359pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore TO-252-2
Temperatura operativa - Giunzione -55°C ~ 175°C
Peso -
Paese d'origine -

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