GB05SLT12-252

GB05SLT12-252 - GeneSiC Semiconductor

Numero di parte
GB05SLT12-252
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Breve descrizione
DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
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Codice data
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Prezzo di riferimento
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GB05SLT12-252 Descrizione dettagliata

Numero di parte GB05SLT12-252
Stato parte Active
Tipo diodo Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Corrente - Rettificato medio (Io) 5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 2A
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 50µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F 260pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore TO-252
Temperatura operativa - Giunzione -55°C ~ 175°C
Peso -
Paese d'origine -

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