GB05SLT12-220 - GeneSiC Semiconductor

Numero di parte	GB05SLT12-220
Stato parte	Active
Tipo diodo	Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	1200V
Corrente - Rettificato medio (Io)	5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.8V @ 2A
Velocità	No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr	50µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F	260pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AC
Temperatura operativa - Giunzione	-55°C ~ 175°C
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	GB05SLT12-220	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220AC	Dettagli
	GB05SLT12-252	GeneSiC Semiconductor	DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252	Dettagli