GB05SLT12-252

GB05SLT12-252 - GeneSiC Semiconductor

Numéro d'article
GB05SLT12-252
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Brève description
DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Fiche technique PDF Download
GB05SLT12-252.pdf
Catégorie
Diodes - Redresseurs - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
6135 pcs
Prix ​​de référence
USD 4.2925/pcs
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GB05SLT12-252 Description détaillée

Numéro d'article GB05SLT12-252
État de la pièce Active
Type de diode Silicon Carbide Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Courant - Rectifié moyen (Io) 5A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.8V @ 2A
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 50µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F 260pF @ 1V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseur TO-252
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C
Poids -
Pays d'origine -

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