FDR6580

FDR6580 - Fairchild/ON Semiconductor

Numero di parte
FDR6580
fabbricante
Fairchild/ON Semiconductor
Breve descrizione
MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data
New
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FDR6580 Descrizione dettagliata

Numero di parte FDR6580
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3829pF @ 10V
Vgs (massimo) ±8V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 11.2A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SuperSOT™-8
Pacchetto / caso 8-SMD, Gull Wing
Peso -
Paese d'origine -

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