| Número de pieza | FDR6580 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11.2A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3829pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 11.2A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SuperSOT™-8 |
| Paquete / caja | 8-SMD, Gull Wing |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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