FDR6580

FDR6580 - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article
FDR6580
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
Brève description
MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
FDR6580 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
FDR6580.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4135 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour FDR6580

FDR6580 Description détaillée

Numéro d'article FDR6580
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 11.2A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3829pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 11.2A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SuperSOT™-8
Paquet / cas 8-SMD, Gull Wing
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR FDR6580