| Numero di parte | FDMS3660S |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A, 30A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1765pF @ 15V |
| Potenza - Max | 1W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Power56 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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FDM100-0045SP | IXYS | MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5 | Dettagli |
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FDM15-06KC5 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5 | Dettagli |
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FDM21-05QC | IXYS | MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5 | Dettagli |
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FDM2452NZ | FAIRCHIL | FDM2452NZ FAIRCHIL QFN New Original Stocks | Dettagli |
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FDM2509NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 8.7A 2X5MLP | Dettagli |
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FDM3300NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET | Dettagli |
.JPG "FDM3622") |
FDM3622 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP | Dettagli |
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FDM47-06KC5 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5 | Dettagli |
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FDM606P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET | Dettagli |
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FDM6296 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33 | Dettagli |
