Numero di parte | FDMB506P |
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Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2960pF @ 10V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.9W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 6.8A, 4.5V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-MLP, MicroFET (3x1.9) |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Peso | - |
Paese d'origine | - |