GB1200036 - Diodes Incorporated

Numero di parte	GB1200036
Stato parte	Active
genere	MHz Crystal
Frequenza	12MHz
Stabilità di frequenza	±30ppm
Tolleranza di frequenza	±30ppm
Capacità di carico	30pF
ESR (Equivalent Series Resistance)	40 Ohm
Modalità operativa	Fundamental
temperatura di esercizio	-10°C ~ 70°C
Giudizi	-
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	HC49/US
Dimensione / Dimensione	0.441" L x 0.197" W (11.20mm x 5.00mm)
Altezza - Seduto (max)	0.138" (3.50mm)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
GB1000008	Diodes Incorporated	CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K	Dettagli
GB1000015	Diodes Incorporated	CRYSTAL 10.0000MHZ 30PF TH	Dettagli
GB1000017	Diodes Incorporated	CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K	Dettagli
GB100TS60K	IR	GB100TS60K IR SMD or Through Hole New Original Stocks	Dettagli
GB100XCP12-227	GeneSiC Semiconductor	IGBT 1200V 100A SOT-227	Dettagli
GB1020003	Diodes Incorporated	CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K	Dettagli
GB10MPS17-247	GeneSiC Semiconductor	SIC DIODE 1700V 10A TO-247-2	Dettagli
GB10RF60K	ORIGINAL	GB10RF60K ORIGINAL SMD or Through Hole New Original Stocks	Dettagli
GB10SLT12-214	GeneSiC Semiconductor	SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A	Dettagli
GB10SLT12-220	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC	Dettagli