GB1200036 - Diodes Incorporated

Artikelnummer	GB1200036
Teilstatus	Active
Art	MHz Crystal
Frequenz	12MHz
Frequenzstabilität	±30ppm
Frequenztoleranz	±30ppm
Ladekapazität	30pF
ESR (Ersatzserienwiderstand)	40 Ohm
Betriebsart	Fundamental
Betriebstemperatur	-10°C ~ 70°C
Bewertungen	-
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	HC49/US
Größe / Dimension	0.441" L x 0.197" W (11.20mm x 5.00mm)
Höhe - Sitzend (Max)	0.138" (3.50mm)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
GB1000008	Diodes Incorporated	CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K	Einzelheiten
GB1000015	Diodes Incorporated	CRYSTAL 10.0000MHZ 30PF TH	Einzelheiten
GB1000017	Diodes Incorporated	CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K	Einzelheiten
GB100TS60K	IR	GB100TS60K IR SMD or Through Hole New Original Stocks	Einzelheiten
GB100XCP12-227	GeneSiC Semiconductor	IGBT 1200V 100A SOT-227	Einzelheiten
GB1020003	Diodes Incorporated	CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K	Einzelheiten
GB10MPS17-247	GeneSiC Semiconductor	SIC DIODE 1700V 10A TO-247-2	Einzelheiten
GB10RF60K	ORIGINAL	GB10RF60K ORIGINAL SMD or Through Hole New Original Stocks	Einzelheiten
GB10SLT12-214	GeneSiC Semiconductor	SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A	Einzelheiten
GB10SLT12-220	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC	Einzelheiten