| Artikelnummer | GB1200036 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Art | MHz Crystal |
| Frequenz | 12MHz |
| Frequenzstabilität | ±30ppm |
| Frequenztoleranz | ±30ppm |
| Ladekapazität | 30pF |
| ESR (Ersatzserienwiderstand) | 40 Ohm |
| Betriebsart | Fundamental |
| Betriebstemperatur | -10°C ~ 70°C |
| Bewertungen | - |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | HC49/US |
| Größe / Dimension | 0.441" L x 0.197" W (11.20mm x 5.00mm) |
| Höhe - Sitzend (Max) | 0.138" (3.50mm) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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GB1000008 | Diodes Incorporated | CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K | Einzelheiten |
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GB1000015 | Diodes Incorporated | CRYSTAL 10.0000MHZ 30PF TH | Einzelheiten |
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GB1000017 | Diodes Incorporated | CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K | Einzelheiten |
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GB100TS60K | IR | GB100TS60K IR SMD or Through Hole New Original Stocks | Einzelheiten |
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GB100XCP12-227 | GeneSiC Semiconductor | IGBT 1200V 100A SOT-227 | Einzelheiten |
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GB1020003 | Diodes Incorporated | CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K | Einzelheiten |
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GB10MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor | SIC DIODE 1700V 10A TO-247-2 | Einzelheiten |
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GB10RF60K | ORIGINAL | GB10RF60K ORIGINAL SMD or Through Hole New Original Stocks | Einzelheiten |
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GB10SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A | Einzelheiten |
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GB10SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC | Einzelheiten |
